Номер детали производителя : | HS3B R6 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | HS3B R6.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | HS3B R6 |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | HS3B R6.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1 V @ 3 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 50 ns |
Упаковка / | DO-214AB, SMC |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 100 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | 80pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB